Схема сборки: | 1N/1P |
---|---|
Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
Напряжение затвор-исток: | 20 В |
Тип 1-го транзистора: | N |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 4 А |
Заряд затвора: | 16.7 нК |
Рассеиваемая мощность: | 1.4 Вт |
Тип 2-го транзистора: | P |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 3 А |
Заряд затвора: | 16.7 нК |
Рассеиваемая мощность: | 1.4 Вт |
Тип корпуса: | SO-8 |
Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual N and P-Channel |