| Схема сборки: | 1N/1P |
|---|---|
| Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
| Напряжение затвор-исток: | 20 В |
| Тип 1-го транзистора: | N |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 4 А |
| Заряд затвора: | 16.7 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 1.4 Вт |
| Тип 2-го транзистора: | P |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 3 А |
| Заряд затвора: | 16.7 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 1.4 Вт |
| Тип корпуса: | SO-8 |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual N and P-Channel |