| Схема сборки: | DUAL N |
|---|---|
| Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
| Напряжение затвор-исток: | 20 В |
| Тип 1-го транзистора: | N |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 4.9 А |
| Заряд затвора: | 16.7 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
| Тип 2-го транзистора: | N |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 4.9 А |
| Заряд затвора: | 16.7 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |