Схема сборки: | DUAL N |
---|---|
Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
Напряжение затвор-исток: | 20 В |
Тип 1-го транзистора: | N |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 4.9 А |
Заряд затвора: | 16.7 нК |
Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
Тип 2-го транзистора: | N |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 4.9 А |
Заряд затвора: | 16.7 нК |
Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |