| Схема сборки: | DUAL P |
|---|---|
| Максимальное рабочее напряжение: | 20 В |
| Напряжение затвор-исток: | 12 В |
| Тип 1-го транзистора: | P |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 5.3 А |
| Заряд затвора: | 19 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
| Тип 2-го транзистора: | P |
| Ток стока (при Ткорп=25С): | 5.3 А |
| Заряд затвора: | 19 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
| Тип корпуса: | SO-8 |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel |