Схема сборки: | DUAL P |
---|---|
Максимальное рабочее напряжение: | 20 В |
Напряжение затвор-исток: | 12 В |
Тип 1-го транзистора: | P |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 5.3 А |
Заряд затвора: | 19 нК |
Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
Тип 2-го транзистора: | P |
Ток стока (при Ткорп=25С): | 5.3 А |
Заряд затвора: | 19 нК |
Рассеиваемая мощность: | 2 Вт |
Тип корпуса: | SO-8 |
Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel |