Технические характеристики
| Производитель: | TOSHIBA |
|---|---|
| Структура: | Silicon NPN Epitaxial Type |
| Макс. напр. коллектор-база (Uкбо макс): | 230 В |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер (Uкэо макс): | 230 В |
| Макс. напр. эмиттер-база (Uэбо макс): | 5 В |
| Максимально допустимый ток к (Ік.макс.): | 1 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность: | 20 Вт |
| Статический коэффициент передачи тока h21э: | 100...320 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр: | 70 МГц |
| Время переключения: | |
| Корпус: | TO-220F |
