Тип канала: | P |
---|---|
Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
Rdson макс. при Vg 1: | 1000мОм @ 4.5В мОм |
Rdson макс. при Vg 2: | 600мОм @ 10В мОм |
Ток стока (при Ткорп=25°С): | 0.76 А |
Заряд затвора: | 3.4 нК |
Рассеиваемая мощность: | 0.54 Вт |
Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 20 В |
Задержка включения (tз вкл): | 10 Нс |
Задержка выключения (tз выкл): | 23 Нс |
Время нар. (tнар): | 8.2 Нс |
Температура хранения: | -55...150 °C |
Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel |
Р-канальный MOSFET транзистор средней мощности.