| Тип канала: | P |
|---|---|
| Максимальное рабочее напряжение: | 30 В |
| Rdson макс. при Vg 1: | 1000мОм @ 4.5В мОм |
| Rdson макс. при Vg 2: | 600мОм @ 10В мОм |
| Ток стока (при Ткорп=25°С): | 0.76 А |
| Заряд затвора: | 3.4 нК |
| Рассеиваемая мощность: | 0.54 Вт |
| Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 20 В |
| Задержка включения (tз вкл): | 10 Нс |
| Задержка выключения (tз выкл): | 23 Нс |
| Время нар. (tнар): | 8.2 Нс |
| Температура хранения: | -55...150 °C |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel |
Р-канальный MOSFET транзистор средней мощности.