Структура: | N-канал |
---|---|
Макс. ток сток-исток при 25 ºС (Iси макс): | 104 A |
Макс. напряжение сток-исток (Uси макс): | 55 В |
Макс. напряжение затвор-исток (Uзи макс): | ±16 В |
Пороговое напряжение на затворе: | 2 В |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rси вкл): | 8 мОм |
Макс. допуст. пост. мощность (Pмакс): | 200 Вт |
Крутизна характеристики S: | 59000 мА/В |
Задержка включения (tз вкл): | 12 Нс |
Задержка выключения (tз выкл): | 43 Нс |
Время нар. (tнар): | 160 Нс |
Макс. допуст. кратковременная температура перех. (Тпер макс): | 230 ºС |
Рабочая температура корпуса (Траб корп): | - 55 до 175 ºС |
Корпус: | TO220AB |
Силовой MOSFET транзистор с N-каналом. Управляется логическим уровнем