Технические характеристики
| Обратное напряжение (Uобр): | 6 В |
|---|---|
| Прямой ток (Iпр): | 60 мА |
| Прямой импульсный ток tp <= 10 мкс (Iпр. пик): | 2.5 А |
| Рассеиваемая мощность (P): | 100 мВт |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): | 70 В |
| Напряжение эмиттер-база (Uэб): | 7 В |
| Ток коллектора (Iк): | 50 мА |
| Пиковый ток коллектора tp <= 1 мс (Iк пик): | 100 мА |
| Макс. прямое напряжение (Uпр.): | 1,7 В |
| Макс. обратный ток при Uобр=6,0 В (Iобр): | 10 мкА |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер при Iк = 1 мА (Uкэ. пробоя): | 30 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-коллектор при Iэ = 100 мкА (Uэк. пробоя): | 7 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база при Iк = 100 мкА, Iб = 1,0 мкА (Uкб. пробоя): | 70 В |
Описание
Оптроны 4N35 состоят из фототранзистора и оптически связанного с ним инфракрасного светодиода на основе соединения арсенид-галлия. Выпускаются в 6-ти выводном DIP корпусе. Кроме того, различные производители предлагают модификации оптрона 4N35 в различных корпусах, в том числе и для поверхностного монтажа.
Принципиальная электрическая схема оптрона 4N35
Применение оптопары 4N35
Оптопары применяются для гальванической развязки цепей, а так же с целью фильтрации сигнала от его вредной высокочастотной составляющей. Цифровые входы - некоторые стандартные, например, MIDI, предписывают обязательную оптронную развязку.